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      企業簡介 質量可靠性 環境安全和健康 社會責任 聯系我們 合規平臺
      公司愿景
      成為存儲技術的領先者
      全球半導體產業的核心價值貢獻者
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      長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月,總部位于“江城”武漢, 是一家專注于3D NAND閃存設計制造一體化的IDM集成電路企業,同時也提供完整的存儲器解決方案。長江存儲為全球合作伙伴供應3D NAND閃存晶圓及顆粒, 嵌入式存儲芯片以及消費級、企業級固態硬盤等產品和解決方案,廣泛應用于移動通信、消費數碼、計算機、服務器及數據中心。

      12年

      集成電路

      9年

      3D NAND 研發制造

      我們的創新歷程

      2014

      3D NAND閃存項目正式啟動

      2015

      9層3D NAND閃存測試芯片通過電氣性能驗證

      2016

      第一代3D NAND 閃存測試芯片設計完成
      長江存儲科技有限責任公司成立
      長江存儲1期工廠破土動工

      2017

      第一代3D NAND 閃存設計完成并實現首次流片
      長江存儲1期工廠實現提前封頂

      2018

      第二代3D NAND閃存實現首次流片
      在全球閃存峰會(FMS)上發布Xtacking? 架構并獲得Best of Show獎項
      第一代3D NAND閃存實現量產

      2019

      第二代3D NAND閃存實現量產
      第三代 TLC 3D NAND(X2-9060)設計完成,并實現首次流片

      2020

      第三代 QLC 3D NAND(X2-6070) 研發成功
      致鈦系列消費級SSD上市
      eMMC/UFS嵌入式存儲通過客戶驗證

      2021

      第三代 TLC/QLC NAND(X2-9060/ X2-6070)量產
      eMMC/UFS量產出貨
      長江存儲1期工廠實現滿產

      2022

      基于第三代 NAND的系統解決方案上市

      我們的使命:
      用芯書寫記憶,讓世間美好長存
      致力于成為全球領先的
      3D NAND閃存方案提供商
      2017年10月,長江存儲通過自主研發和國際合作相結合的方式,成功設計制造了中國首款3D NAND閃存。2019年9月,搭載長江存儲自主創新晶棧 Xtacking? 架構的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產。2020年4月,長江存儲宣布第三代TLC/QLC兩款產品研發成功,其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存,擁有發布之時最高的IO速度,最高的存儲密度和最高的單顆容量。

      截至目前長江存儲已在武漢、上海、北京等地設有研發中心,全球共有員工8000余人,其中研發工程技術人員5000余人。通過不懈努力和技術創新,長江存儲致力于成為全球領先的NAND閃存解決方案提供商。
      *含武漢新芯數據
      億元

      總投資額

      +

      專利申請

      +

      工程師投入

      專利積累

      超過

      專利申請

      包含

      國際專利

      包含

      %

      發明專利

      每年新增

      專利申請

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