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      長江存儲將于2018閃存峰會發布新型3D NAND架構,并發表主題演講

      日期:2018-07-26

      作者:長江存儲

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      長江存儲攜創新型 Xtacking®架構,進軍高門檻的 NAND閃存產業

      中國,武漢,2018年7月25日——作為3D NAND閃存產業的新晉者,長江存儲科技有限責任公司(長江存儲)今年將首次參加閃存峰會(Flash Memory Summit),并發表備受期待的主題演講,闡述其即將發布的突破性技術Xtacking®。長江存儲是中國首家進軍高門檻NAND閃存行業的公司,此次揭曉的Xtacking®新型架構技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的高性能,更高的存儲密度,以及更短的上市周期。

      當地時間8月7日下午3時(北京時間8月8日晨6時),長江存儲CEO楊士寧博士將于圣克拉拉會議中心(加尼福尼亞州,美國)發表《創新架構,釋放3D NAND閃存潛能》的主題演講。屆時,楊士寧博士將會介紹此項技術是如何將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當的水準,同時使存儲密度達到行業領先水平,實現閃存行業的劃時代躍進。

      XtackingTM技術將為NAND閃存帶來前所未有的超高傳輸速率,從而將NAND閃存應用產品,如UFS、消費級及企業級SSD的性能提升至全新的高度。在客戶、行業伙伴以及標準機構的合力幫助下,Xtacking®將為高性能的智能手機、個人計算、數據中心和企業應用展開新篇章。

      Xtacking®技術實現了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開發和制造工藝將大幅縮短新一代3D NAND閃存的上市時間,并使NAND閃存產品定制化成為可能。

       

      關于長江存儲科技有限責任公司(長江存儲)

      長江存儲科技有限責任公司(長江存儲)成立于2016年7月,總投資額240億美元。長江存儲是一家集芯片設計、工藝研發、晶圓生產與測試、銷售服務于一體的存儲器解決方案企業,總部位于湖北武漢。長江存儲為全球客戶提供先進的存儲產品和解決方案,廣泛應用在移動通信,計算機,數據中心和消費電子等領域。

      長江存儲借助全資子公司武漢新芯超過10年的12英寸先進集成電路技術研發與生產制造經驗基礎,采取自主研發與國際合作雙輪驅動模式,已于2017年研制成功了中國的第一顆3D NAND閃存芯片。長江存儲憑借全球分布的研發中心和超過3000名國際化員工,力爭憑創新實力成為世界一流的3D NAND閃存產品供應商。

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