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      長江存儲科技有限責任公司推出全新3D NAND架構: Xtacking?

      日期:2018-08-06

      作者:長江存儲

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      中國,武漢, 北京時間2018年8月7日,作為NAND行業的新晉者,長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱:長江存儲)今天公開發布其突破性技術——Xtacking®。該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲密度,以及更短的產品上市周期。

      采用Xtacking®,可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝,以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工后,創新的Xtacking®技術只需一個處理步驟就可通過數十億根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路,而且只增加了有限的成本。

      閃存和固態硬盤領域的知名市場研究公司Forward Insights創始人兼首席分析師Gregory Wong認為:“隨著3D NAND更新換代,在單顆NAND芯片存儲容量大幅提升后,要維持或提升相同容量SSD的性能將會越來越困難。若要推動SSD性能繼續提升,更快的NAND I/O速度及多plane并行操作功能將是必須的。”

      長江存儲CEO楊士寧博士表示:“目前,世界上最快的3D NAND I/O速度的目標值是1.4Gbps,而大多數NAND供應商僅能供應1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking®技術我們有望大幅提升NAND  I/O速度到3.0Gbps,與DRAM DDR4的I/O速度相當。這對NAND行業來講將是顛覆性的。”

      傳統3D NAND架構中,外圍電路約占芯片面積的20~30%,降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高,外圍電路可能會占到芯片整體面積的50%以上。Xtacking®技術將外圍電路置于存儲單元之上,從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。

      Xtacking®技術充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢,實現了并行的、模塊化的產品設計及制造,產品開發時間可縮短三個月,生產周期可縮短20%,從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。此外,這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND閃存的定制化提供了可能。

      長江存儲已成功將Xtacking ®技術應用于其第二代3D NAND產品的開發。該產品預計于2019年進入量產階段。通過與客戶、行業合作伙伴和行業標準機構的合作,Xtacking ®技術將應用于智能手機、個人計算、數據中心和企業應用等領域,并將開啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章。

       

      關于長江存儲

      長江存儲成立于2016年7月,總投資額240億美元。長江存儲是一家集芯片設計、工藝研發、晶圓生產與測試、銷售服務于一體的存儲器解決方案企業,總部位于湖北武漢。長江存儲為全球客戶提供先進的存儲產品和解決方案,廣泛應用在移動通信,計算機,數據中心和消費電子等領域。

       

      長江存儲借助全資子公司武漢新芯超過10年的12英寸先進集成電路技術研發與生產制造經驗基礎,采取自主研發與國際合作雙輪驅動模式,已于2017年研制成功了中國的第一顆3D NAND閃存芯片。長江存儲憑借全球分布的研發中心和超過3000名國際化員工,力爭憑創新實力成為世界一流的3D NAND閃存產品供應商。

       

      更多資訊:

      如果要安排與長江存儲科技有限責任公司在FMS的會面,請聯系:sales_ymtc@www.point5covenant.com

      有關FMS活動詳情,請訪問:www.flashmemorysummit.com

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