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      技術簡介 聯盟成員 創新平臺
      晶棧Xtacking? 是長江存儲核心專利和技術品牌,代表著長江存儲在3D NAND存儲技術領域的創新進取和卓越貢獻
      是長江存儲面向企業客戶、消費者推廣3D NAND產品的關鍵所在,也是體現長江存儲原創設計的代表品牌。
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      晶棧Xtacking? 技術詳解

      創新發展,走出獨具特色的技術路線

      在兩片晶圓上完成
      獨立的制造工藝

      CMOS 外圍電路晶圓

      NAND存儲陣列晶圓

      通過金屬互聯通道VIAs
      進行兩片晶圓的鍵合

      合并為牢固的整體
      在晶棧Xtacking? 架構推出前,市場上的3D NAND主要分為傳統并列式架構和CuA(CMOS under Array)架構。長江存儲通過創新布局和縝密驗證,經過長達8年在3D IC領域的技術積累和2年的研發驗證后,終于將晶圓鍵合這一關鍵技術在3D NAND閃存上得以實現。在指甲蓋大小的面積上實現數十億根金屬通道的連接,合二為一成為一個整體,擁有與同一片晶圓上加工無異的優質可靠性表現,這項技術為未來3D NAND帶來更多的技術優勢和無限的發展可能。隨著層數的不斷增高,基于晶棧Xtacking? 所研發制造的3D NAND閃存將更具成本和創新優勢。

      8

      技術積累

      3

      研發驗證

      創新架構
      以科技賦能閃存技術革新
      更快

      晶棧Xtacking? 創新架構使3D NAND
      能擁有更快的I/O傳輸速度

      晶棧Xtacking? 可實現在兩片獨立的晶圓上加工外圍電路和存儲單元,這樣有利于選擇更先進的邏輯工藝,從而讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。當兩片晶圓各自完工后,創新的晶棧Xtacking? 技術只需一個處理步驟即可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合,合二為一。
      更高

      晶棧Xtacking? 創新架構使3D NAND
      能擁有更高的存儲密度

      在傳統3DNAND架構中,外圍電路約占芯片面積20~30%,晶棧 Xtacking? 技術創新的將外圍電路置于存儲單元之上,從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度,芯片面積可減少約25%。
      更靈活

      晶棧Xtacking? : 模組化的工藝
      將提升研發效率并縮短生產周期

      晶棧Xtacking? 技術充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢,實現了并行的、模塊化的產品設計及制造,產品開發時間可縮短三個月,生產周期可縮短20%。此外,這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創新功能以實現NAND閃存的定制化提供了可能。
      晶棧Xtacking? 屢獲殊榮

      長江存儲推出的晶棧Xtacking? 技術
      在全球行業活動中獲得多項榮譽

      2018年8月,長江存儲在全球頂級閃存峰會“Flash Memory Summit”上發布了其革新技術晶棧Xtacking? 架構, 并一舉斬獲大會最高榮譽“Best of Show“——“最具創新初創閃存企業”獎項。此獎項表彰對象為存儲行業最具創新和探索精神的初創公司。
      2020年1月2日,長江存儲在由中國半導體投資聯盟、中國半導體行業專業媒體集微網共同舉辦的“2020中國IC風云榜”中斬獲“年度技術突破獎”,是中國半導體集成電路權威投資機構和專業媒體對長江存儲創新能力和取得成果的肯定。
      持續升級——晶棧Xtacking? 2.0

      在長江存儲第三代系列產品中,晶棧Xtacking? 已全面升級至2.0,進一步釋放3D NAND閃存潛能

      晶棧Xtacking? 2.0將充分利用架構優勢為客戶帶來更多價值。其中包括:進一步提升NAND吞吐速率、提升系統級存儲的綜合性能、開啟定制化NAND全新商業模式等。
      通過與客戶、行業合作伙伴和行業標準機構的緊密合作,搭載晶棧Xtacking? 2.0技術的第三代產品將被廣泛應用于數據中心,企業級服務器、個人電腦和移動設備等領域,并將開啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章。

      長江存儲將持續投入研發資源,以通過技術和產品的迭代,使每一代產品都具備強勁的市場競爭力,更好地滿足全球客戶的需求。



      隨著5G,人工智能和超大規模數據中心時代的到來,閃存市場的需求將持續增長。長江存儲晶棧Xtacking? 系列3D NAND閃存產品的量產將為全球存儲器市場健康發展注入新動力,為未來三維閃存技術發展帶來無限可能。
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