在晶棧Xtacking^? 架構推出前，市場上的3D NAND主要分為傳統并列式架構和CuA（CMOS under Array）架構。長江存儲通過創新布局和縝密驗證，經過長達8年在3D IC領域的技術積累和2年的研發驗證后，終于將晶圓鍵合這一關鍵技術在3D NAND閃存上得以實現。在指甲蓋大小的面積上實現數十億根金屬通道的連接，合二為一成為一個整體，擁有與同一片晶圓上加工無異的優質可靠性表現，這項技術為未來3D NAND帶來更多的技術優勢和無限的發展可能。隨著層數的不斷增高，基于晶棧Xtacking^? 所研發制造的3D NAND閃存將更具成本和創新優勢。